日前，三星在《自然》上发布了一项关于新量子点材料的研究——《Highly efficient and stable InP/ZnSe/ZnS quantum dot linght-emitting diodes》。
这项研究发展了一种无镉量子点的合成策略，并实现了优异的QLED发光性能，有望很快在商业显示器中使用。
该研究主要在降低了中心能量逃逸的同时加快了电流吸收，效率提高了21.4%，二极管寿命更是达到100万小时。
2018年3月8日，三星电子在美国纽约华尔街发布了2018全新QLED TV电视。量子点显示技术正式走入生活。但是，令人意外的是，时至今日，量子点显示技术依旧没有没有普及，这究竟是为什么呢？
首先来了解一下什么是QLED？QLED发光原理类似于OLED，不过使用的并非是有机发光材料，而是选用锌、镉、硒和硫等无机材料。
但是，就目前上市的产品来看，并没有一款是真正的自然发光量子点二极管，而是在LCD面板上加装一层QD背光膜。
在加装这层QD膜之后，LCD色彩不够鲜艳的问题能够得到很好的解决。
来源：三星
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至于为什么不采用纯粹的QLED，是因为QLED技术还处于刚刚起步阶段，存在可靠性/效率低、蓝色元件寿命不稳定、溶液制程研发困难等问题。因此业内认为现阶段离商用化至少需要10年以上。
目前，红光，绿光和蓝光QD-LED的效率分别达到了20.5％、21.0％和19.8％，但是这之中的量子点大多含有有毒的镉成分。而基于磷化铟（InP）的材料和器件的性能仍然远远落后于含镉的同类材料和器件。
因此，改善器件的操作稳定性并避免使用有毒的镉成分，成为了QLED商用的关键问题。
不过，《自然》刊登的研究显示，三星院士Eunjoo Jang博士和组首席研究员Yu-Ho Won博士取得突破性成果，将磷化铟为光源材料的量子点发光二极管的寿命、效率推高到可商用的程度。
研究主要降低了中心能量的逃逸同时加快了电流吸收，效率提高了21.4%，二极管寿命更是达到100万小时。
此前，阻碍自发光QLED显示技术的主要障碍是如何替代掉镉，镉虽然是完美的无机光源材料，可对人类的毒性大，替代材料磷化铟的问题在于能量效率一直提不上来。
有鉴于此，三星先进技术研究院Eunjoo Jang团队报道了一种尺寸均匀的InP为内核，高度对称的Core-Shell结构QD的合成方法，其量子产率约为100％。
这种特殊的方法是在初始ZnSe壳的生长过程中添加氢氟酸，以蚀刻掉氧化InP核表面，然后在340 ℃下实现高温ZnSe的生长。工程化的壳层厚度可抑制能量转移和俄歇复合，以保持高发光效率，并且初始表面配体被较短的配体取代，以实现更好的电荷注入。
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经过优化的InP/ZnSe/ZnS QD-LED的最大外部量子效率为21.4％，最大亮度为100,000cd m-2，在100 cd m-2的条件下使用寿命长达一百万小时，该性能可与最新的含镉QD-LED媲美。
这项研究发展了一种无镉量子点的合成策略，并实现了优异的QLED发光性能，这些基于InP的QD-LED有望很快在商业显示器中使用。
目前三星的QLED电视使用不含镉的量子点制造，但也不是直接将量子点作为发光源。
三星于10月曾宣布到2025年将投资110亿美元生产量子点屏幕，2021年将开始生产。但至于这一自发光QLED显示屏的商业化，则至少要等到2025年才能看看是否确实可行。
