2019年12月31号三星华城厂区发生的跳电事件虽未对整体内存的供给造成重大影响，但事件的发生促使相关买方的备货意愿增强……


根据TrendForce内存储存研究(DRAMeXchange)最新调查，随着近一个月来DRAM现货价格持续走扬，加上2019年12月31号三星华城厂区发生跳电，虽然整体内存的供给并没有因此事件受到重大影响，但观察到各产品别买方备货意愿进一步增强。

因此，TrendForce再次修正2020年第一季DRAM合约价格预测，由原先的“大致持平”调整为“小涨”，价格正式提前翻转向上。

在标准型内存，虽然第一季的价格仍在议定中，但TrendForce预估持平甚至小涨的可能性高。之前在中美贸易关税的不确定性下，大部分销往美国的笔电都赶在2019年第四季出货，导致2020年第一季的出货较为疲弱。但考虑今年DRAM的供给位成长幅度仅不到13%，加上三星跳电事件的影响，PC OEM已做好DRAM即将涨价的可能，当前都以建立更佳的库存水位为目标，因此在采购上愿意接受持平或更高的模块合约价格；若原厂能够在第一季增加供货量，买方甚至愿意接受更高的价格，以确保安全的库存水位。


行动式内存方面，虽然第一季智能型手机市场在5G的议题下所有支撑，但因5G芯片初期供应数量有限，加上传统淡季影响，拉货动能依旧偏弱，因此TrendForce原先预测行动式内存Discrete/eMCP价格将较前一季下跌0~5%。然而自去年12月中开始，除了服务器内存与绘图用内存需求增温，带动整体价格走势提前反转之外，NAND Flash的供应告急同样激励eMCP的价格表现，因此将行动式内存的价格预估由“小跌”调整为“大致持平”。

至于利基型内存，由于三星华城厂区Line 13的DRAM生产重心主要为20/25nm的利基型内存产品，加上受到现货市场价格上扬的影响最为直接，使得利基型内存价格将提早反弹。目前来看，虽然锁定季度合约价(quarterly lock-in price)的第一线大客户有机会守住持平，不过原厂的供货达标率 (fulfillment rate)不到六成，加上采购端截至去年底皆未积极备货，导致库存偏低，月合约价可能将开始逐月向上；此外，重复下单(double-booking)的出现亦可能导致原厂的供货达标率进一步恶化，因此第一季DDR3和DDR4的价格预估将较前一季上涨0~5%。



2020年第一季DRAM各产品价格走势预估。(数据源：TrendForce)


来源：集邦咨询